Компания SemiSouth Laboratories представила линейку силовых диодов Шоттки, выполненных по карбидокремниевой (SiC) технологии. Компоненты удовлетворяют требованиям предельного содержания вредных веществ и рассчитаны на напряжение 1200 В. Диоды, рассчитанные на ток 5 А и 10 А, поставляются в корпусе T0-220, в то время как диоды, рассчитанные на токи 20 А и 30 А – в корпусе TO-247. Все компоненты имеют низкое пороговое прямое напряжение, малые токи утечки, а также высокую удельную плотность мощности. Кроме того, диоды имеют малое время восстановления и высокую надежность.