Такие параметры как чувствительность и интермодуляция требуют использования в приемниках современных базовых станций беспроводных систем связи малошумящих усилителей с коэффициентом шума менее 1 дБ и высокой линейностью. В последнее время данные требования можно реализовать лишь в приборах на основе составных полупроводников типа GaAs PHEMT. Однако компания NXP Semiconductors разработала собственную SiGe технологию, которая в сравнении с GaAs технологией позволяет получить сопоставимые или лучшие характеристики по линейности, потреблению мощности, чувствительности к внеполосным сигналам, а также выходной мощности. Компания разработала серию BGU705x малошумящих усилителей с высокой линейностью на основе SiGe:C BiCMOS технологии, которая позволяет получить граничную частоту усиления 130 ГГц.