На выставке PCIM Europe 2012 (8-10 мая) в Нюремберге компания Infineon Technologies представила революционное семейство JFET транзисторов CoolSiC™ с рабочим напряжением 1200В.

У новых транзисторов CoolSiCTM существенно более низкие потери при коммутации по сравнению с IGBT транзисторами, благодаря чему можно увеличить частоту коммутаций без потери общей эффективности системы. Это дает возможность уменьшить размеры пассивных компонентов, а следовательно размеры, вес и стоимость всей системы в целом. В то же время в корпусе того же размера можно получить большую выходную мощность. Для обеспечения безопасности и простоты использования JFET, который по своему принципу является нормально - включенным прибором, компания Infineon разработала технологию непосредственного управления (Direct Drive Technology). В соответствии с этой концепцией JFET  транзистор соединяется с низковольтным MOSFET и драйвером, который гарантирует безопасные условия запуска системы, а также быструю управляемую коммутацию. Драйвер реализован в виде монолитной микросхемы.

Характерной чертой транзисторов CoolSiCTM JFET является встроенный антипараллельный диод, обладающий характеристиками переключению, сравнимыми с внешним SiC диодом Шоттки. Подобное сочетание обеспечивает наибольшую эффективность, надежность, безопасность и простоту использования.

Доступность

Образцы транзисторов CoolSiCTM JFET и драйверов будут доступны во втором квартале 2012 года.

Цена производителя, например, для транзистора IJW120R100T1 (100mOhm) в количествах 1000 штук составит ~  18,44 евро /шт.

Серийное производство намечено в первой половине 2013.